В результате выполнения первого этапа проекта РФФИ 20-32-70005 «Исследование физических принципов работы гетероструктур кремний / коллоидные квантовые точки Si/CQDs для создания на их основе не охлаждаемых, быстрых и чувствительных ИК детекторов» созданы наборы уникальных образцов гетероструктур Si/Ag2S позволяющие получить систематически повторяемые экспериментальные данные о электрических свойствах на постоянном токе и спектральном отклике в диапазоне 1—3 мкм. Результаты проведенных экспериментальных исследований электрических и спектральных свойств гетероструктур Si/Ag2S как функции размера CQDs позволили получить понимание физических механизмов фотовольтаического эффекта при облучении структур ИК излучением в диапазоне 1—3 мкм. Определена граница, в единицах длины волны излучения, между двумя предполагаемыми механизмами работы — непосредственного поглощения излучения квантовой точкой с дальнейшим рождением свободных носителей, и возникновением дополнительных вакансий в запрещенной зоне кремния за счет создаваемых CQDs дополнительных поверхностных состояний на поверхности кремния. Кроме того, получены экспериментальные данные о размерах CQDs и их поверхностной плотности в гетероструктурах Si/Ag2S необходимых для получения высоких значений V/W и I/W чувствительности, динамического диапазона и быстродействия при приемлемых значениях уровня шумов для получения чувствительности детектора не хуже 1010 cm√Hz/W. Прикладным результатом первого этапа проекта является создание лабораторных образцов квазиоптических детекторов на основе Si/Ag2S гетероструктур с набором длин и ширин приемных площадок детектора и экспериментальное исследование их основных характеристик — V/W и I/W чувствительность, динамический диапазон, быстродействие и уровень выходных шумов. Учитывая разнообразие и современный уровень технологии изготовления коллоидных квантовых точек Si/Ag2S и относительную простоту создания гетероструктур Si/CQDs, результаты наших исследований открывают путь к будущей разработке нового поколения не охлаждаемых ИК Si/CQDs-детекторов и Si/CQDs CMOS матриц детекторов для применений в передовых оптоэлектронных и цифровых системах, интеллектуальных производственных технологиях, роботизированных системах и при создании систем обработки больших объемов данных.